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英国专家用半极性GaN生长高效益LED
英国雪菲尔大学(Sheffield University)的一支研究团队*近在《应用物理学快报》(Applied Physics Letter)期刊上发布在半极性氮化镓(GaN)或蓝宝石基材上生长LED的**成果。
利用在M-Plane蓝宝石基板上生长的GaN制造的微柱阵列模板，研究人员能在其上过度生长的半极性GaN(11-22)上生长出具有更高量子效益的LED。
相较于在C-Plane蓝宝石基板上生长的商用LED，该研究团队在半极性材料上所生长的绿光LED显示发光波长的蓝位移随着驱动电流增加而减少。在蓝位移所观察到的情况也适用在黄绿与黄光LED上，因此，研究人员发现所生长的LED存在一种有效抑制量子而限制星炫的效应。
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